锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLV2341ID、TLV2341IDR、TLV2341IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2341ID TLV2341IDR TLV2341IDG4

描述 LinCMOSE可编程低电压运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS(TM) Programmable Low-Voltage Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃LinCMOS™ 可编程低电压运算放大器 8-SOIC -40 to 85

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 675 µA 675 µA 675 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W 0.725 W 725 mW

共模抑制比 65 dB 65 dB 65dB ~ 80dB

输入补偿漂移 2.70 µV/K 2.70 µV/K 2.70 µV/K

带宽 790 kHz 790 kHz 790 kHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 8 mV 8 mV

输入偏置电流 0.6 pA 0.6 pA 0.6 pA

增益带宽 1.7 MHz - 1.7 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) - - 8 V

电源电压(Min) - - 2 V

输出电流 - ≤30 mA -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free