FQD4N20TM、FQD7N20TM、PHD9NQ20T,118对比区别

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型号 FQD4N20TM FQD7N20TM PHD9NQ20T,118

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=8.7A P=88W

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 3.00 A 5.30 A -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 1.40 Ω 690 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.5 W 88W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 5.30 A -

上升时间 50 ns - 19 ns

输入电容(Ciss) 220pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 88 W

下降时间 25 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 88W (Tc)

输入电容 - - 959 pF

长度 6.73 mm - -

宽度 6.1 mm 6.1 mm -

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -