FQD4N20TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD4N20TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.00 A
通道数 1
漏源极电阻 1.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 220pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD4N20TM引脚图与封装图
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在线购买FQD4N20TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD4N20TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD4N20TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD4N20TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 200V 3A 1.4ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD7N20TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 200V 5.3A 690mohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD4N20TM和FQD7N20TM的区别 |
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| 型号： 2SK2887TL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-428 N-Channel 200V 3A 700mΩ | 功能相似 | Mosfet n-Ch 200V 3A Dpak | FQD4N20TM和2SK2887TL的区别 |