IPD042P03L3GATMA1、IPD053N08N3GBTMA1、IPD042P03L3GBTMA1对比区别
型号 IPD042P03L3GATMA1 IPD053N08N3GBTMA1 IPD042P03L3GBTMA1
描述 INFINEON IPD042P03L3GATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新DPAK N-CH 80V 90AINFINEON IPD042P03L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0035 Ω 4.4 mΩ 0.0035 Ω
极性 P-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 150 W 150 W 150 W
阈值电压 1.5 V 2 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 80 V 30 V
输入电容(Ciss) 12400pF @15V(Vds) 4750pF @40V(Vds) 12400pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
额定功率 - - 150 W
连续漏极电流(Ids) - 90A 70A
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 80 V -
上升时间 - 66 ns -
下降时间 - 10 ns -
长度 6.73 mm 6.5 mm -
宽度 5.97 mm 6.22 mm -
高度 2.41 mm 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC