APT7F100B、IXFH6N100、IRFPG50PBF对比区别

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型号 APT7F100B IXFH6N100 IRFPG50PBF

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH6N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 7.30 A 6.00 A 6.10 A

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.76 Ω 2 Ω 2 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 290 W 180 W 190 W

阈值电压 2.5 V 4.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1000 V

漏源击穿电压 1000 V - 1.00 kV

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 6.00 A 6.10 A

上升时间 26 ns 40 ns 35.0 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 290 W 180 W 190 W

下降时间 22 ns 60 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 290W (Tc) 180W (Tc) 190 W

额定功率 - 180 W 190 W

针脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 5.31 mm

高度 - - 20.7 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

香港进出口证 - NLR -