IRFHS9301TRPBF、SIA421DJ-T1-GE3、IRFHS9301TR2PBF对比区别

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型号 IRFHS9301TRPBF SIA421DJ-T1-GE3 IRFHS9301TR2PBF

描述 P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。VISHAY  SIA421DJ-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70INFINEON  IRFHS9301TR2PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.5 A, -30 V, 30 mohm, -10 V, -1.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 PQFN-6 SC-70 PQFN-6

额定功率 2.1 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 6 6

漏源极电阻 0.03 Ω 0.056 Ω 30 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.1 W 3.5 W 2.1 W

输入电容 580 pF - -

漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 6A -12.0 A 6A

上升时间 80 ns - 80 ns

输入电容(Ciss) 580pF @25V(Vds) 950pF @15V(Vds) 580pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.1 W - -

下降时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1 W 3500 mW 2.1W (Ta)

长度 2.1 mm - 2 mm

宽度 2.1 mm - 2 mm

高度 0.95 mm 0.75 mm 0.9 mm

封装 PQFN-6 SC-70 PQFN-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17