SIA421DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
输入电容Ciss 950pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA421DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIA421DJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA421DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70 | 搜索库存 |
替代型号SIA421DJ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIA421DJ-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SC-70 P-Channel -30V -12A | 当前型号 | VISHAY SIA421DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70 | 当前型号 |
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