锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

KSH50TF、MJD50T4G、MJD50TF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH50TF MJD50T4G MJD50TF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH50TF  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD50T4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFENPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 10 MHz 10 MHz 10 MHz

额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 15 W 15 W 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) 10 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 15 W

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150

增益频宽积 - - 10 MHz

长度 6.6 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99