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DTB123ES、DTB123ESTP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTB123ES DTB123ESTP

描述 数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)SPT PNP 50V 500mA

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 SPT SC-72

额定电压(DC) - -50.0 V

额定电流 - -500 mA

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) - 39 @50mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

封装 SPT SC-72

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free