DTB123ESTP
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTB123ESTP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 39 @50mA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SC-72
外形尺寸
封装 SC-72
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTB123ESTP引脚图与封装图
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在线购买DTB123ESTP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTB123ESTP | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SPT PNP 50V 500mA | 搜索库存 |
替代型号DTB123ESTP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTB123ESTP 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SPT PNP -50V -500mA | 当前型号 | SPT PNP 50V 500mA | 当前型号 |
| 型号： DTB123ES 品牌： 罗姆半导体 封装： SPT PNP | 类似代替 | 数字晶体管（内置电阻） Digital transistors built-in resistors | DTB123ESTP和DTB123ES的区别 |