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DRV5013ADELPGMQ1、DRV5013ADELPGQ1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DRV5013ADELPGMQ1 DRV5013ADELPGQ1

描述 汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-TO-92 -40 to 150板机接口霍耳效应/磁性传感器 Auto Digital-Latch Hall Effect Sensor

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 霍尔传感器地磁传感器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3

输出电压 38 V 38 V

输出电流(Max) 30 mA 30 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 38V 2.7V ~ 38V

电源电压(Max) 38 V -

电源电压(Min) 2.7 V -

封装 TO-92-3 TO-92-3

高度 - 3.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TA) -40℃ ~ 150℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free