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FDS3812、IRF7380PBF、IRF7380TRPBF-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3812 IRF7380PBF IRF7380TRPBF-1

描述 80V N沟道双通道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFETINFINEON  IRF7380PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 80 V, 73 mohm, 10 V, 4 VSOIC N-CH 80V 3.6A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 74.0 mΩ 0.073 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2 W -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.6A 3.6A

上升时间 3 ns 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 634pF @40V(Vds) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W -

下降时间 4 ns 17 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 2000 mW

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 3.40 A - -

输入电容 634 pF - -

栅电荷 13.0 nC - -

漏源击穿电压 80.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -