FDS3812
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3812中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 3.40 A
漏源极电阻 74.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 634 pF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 634pF @40VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3812引脚图与封装图
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在线购买FDS3812
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3812 | Fairchild 飞兆/仙童 | 80V N沟道双通道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS3812
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3812 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 80V 3.4A 74mohms 634pF | 当前型号 | 80V N沟道双通道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： IRF7380 品牌： 英飞凌 封装： SOIC Dual N-Channel 80V 3.6A | 功能相似 | SOIC N-CH 80V 3.6A | FDS3812和IRF7380的区别 |