锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSC100N06LS3GATMA1、CSD18534Q5A、TPCA8049-H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC100N06LS3GATMA1 CSD18534Q5A TPCA8049-H

描述 INFINEON  BSC100N06LS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.7 V60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18534Q5ATOSHIBA  TPCA8049-H  晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 28 A, 60 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PowerTDFN-8 SOP

额定功率 50 W - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0078 Ω 0.0078 Ω 0.0066 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 3.1 W 45 W

阈值电压 1.7 V 1.9 V 1.3 V

输入电容 2600 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 12A 50A -

上升时间 58 ns 5.5 ns -

输入电容(Ciss) 2600pF @30V(Vds) 1770pF @30V(Vds) -

下降时间 8 ns 2 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc) -

通道数 - 1 -

额定功率(Max) - 3.1 W -

长度 5.49 mm 5.8 mm -

宽度 5.15 mm 5 mm -

高度 1.27 mm 1.1 mm -

封装 PG-TDSON-8 PowerTDFN-8 SOP

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active 正在供货 -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

香港进出口证 - NLR -