BSC082N10LSG、FDMS86101A对比区别
描述 Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86101A 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3.1 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 TDSON Power-56-8
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 156 W 104 W
输入电容(Ciss) 5600pF @50V(Vds) 4120pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 156 W 2.5W (Ta), 104W (Tc)
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.0063 Ω
阈值电压 - 3.1 V
漏源极电压(Vds) - 100 V
上升时间 - 5.4 ns
下降时间 - 4 ns
连续漏极电流(Ids) - 13A
长度 6.1 mm 5 mm
宽度 5.35 mm 5.85 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm
封装 TDSON Power-56-8
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 Tape & Reel (TR), Reel Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃