FDMS86101A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS86101A中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 5.4 ns
输入电容Ciss 4120pF @50VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 5.85 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDMS86101A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDMS86101A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS86101A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86101A 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3.1 V | 搜索库存 |
替代型号FDMS86101A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS86101A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power-56-8 N-Channel 100V 13A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86101A 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3.1 V | 当前型号 |
| 型号： CSD19531Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V | FDMS86101A和CSD19531Q5A的区别 |
| 型号： BSC082N10LSG 品牌： 英飞凌 封装： TDSON N-Channel | 功能相似 | Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 | FDMS86101A和BSC082N10LSG的区别 |