NTMD6N02R2G、PHKD6N02LT,518、NTMD6N02R2对比区别

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型号 NTMD6N02R2G PHKD6N02LT,518 NTMD6N02R2

描述 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor双 N 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors功率MOSFET 6.0安培， 20伏 Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 6.00 A - 6.00 A

通道数 2 - -

漏源极电阻 0.035 Ω 0.016 Ω 35.0 mΩ

极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 4.17 W 1.22 W

阈值电压 900 mV 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 10.9 A 6.00 A

上升时间 50.0 ns 49 ns 50.0 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @16V(Vds) 950pF @10V(Vds) 1100pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 730 mW 4.17 W 730 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 4170 mW -

下降时间 - 23 ns -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.45 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99