PHKD6N02LT,518
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NXP
恩智浦
分立器件
PHKD6N02LT,518中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 4.17 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 10.9 A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 950pF @10VVds
额定功率Max 4.17 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4170 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHKD6N02LT,518引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHKD6N02LT,518 | NXP 恩智浦 | 双 N 通道 MOSFET，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PHKD6N02LT,518
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHKD6N02LT,518 品牌： NXP 恩智浦 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 20V 10.9A | 当前型号 | 双 N 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
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