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THS4151CD、THS4151IDR、THS4151CDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4151CD THS4151IDR THS4151CDR

描述 高速差分I / O放大器 HIGH-SPEED DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERSSP Amp DIFF AMP Single ±16.5V/33V 8Pin SOIC T/RSP Amp DIFF AMP Single ±16.5V/33V 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 17.5 mA 17.5 mA 17.5 mA

电路数 1 1 1

带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

转换速率 650 V/μs 650 V/μs 650 V/μs

增益频宽积 340 MHz 340 MHz 340 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 4.3 µA 4.3 µA 4.3 µA

3dB带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

增益带宽 340 MHz 340 MHz 340 MHz

输出电流 45mA @5V - 85 mA

通道数 1 - 1

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

耗散功率(Max) 1020 mW - 1020 mW

耗散功率 1.02 W - -

共模抑制比 75 dB - -

输入补偿漂移 7.00 µV/K - -

可用通道 S - -

共模抑制比(Min) 75 dB - -

电源电压(Max) 30V ~ 50V - -

电源电压(Min) 4 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free