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IRGR2B60KDPBF、IRGR2B60KDTRPBF、IRGR2B60KDTRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGR2B60KDPBF IRGR2B60KDTRPBF IRGR2B60KDTRRPBF

描述 INFINEON  IRGR2B60KDPBF  单晶体管, IGBT, N通道, 6.3 A, 1.95 V, 35 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 新Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - -

耗散功率 35 W 35000 mW 35000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 68 ns 68 ns 68 ns

额定功率(Max) 35 W 35 W 35 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW

额定功率 - - 35 W

长度 10.31 mm - -

宽度 9.45 mm - -

高度 4.57 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -