IRGR2B60KDTRRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGR2B60KDTRRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 35 W
耗散功率 35000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 68 ns
额定功率Max 35 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting HID, Refridgeration, Dishwasher
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRGR2B60KDTRRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRGR2B60KDTRRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGR2B60KDTRRPBF | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRGR2B60KDTRRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGR2B60KDTRRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 35000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRGR2B60KDPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252AA 35000mW | 类似代替 | INFINEON IRGR2B60KDPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 6.3 A, 1.95 V, 35 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 新 | IRGR2B60KDTRRPBF和IRGR2B60KDPBF的区别 |