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1PS79SB10、BAT54XV2、BAT54XV2T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1PS79SB10 BAT54XV2 BAT54XV2T1G

描述 NXP  1PS79SB10  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BAT54XV2  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 4 A, 125 °CON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523-2

针脚数 2 2 2

正向电压 0.8 V 800mV @100mA 800mV @100mA

热阻 - 500℃/W (RθJA) 635 ℃/W

反向恢复时间 - 5 ns 5 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 4 A 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 800 mV 800 mV

正向电流(Max) - 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作结温 - 125℃ (Max) -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 200 mA

电容 - - 10.0 pF

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - - ≤200 mA

负载电流 - - 0.2 A

极性 - - Standard

耗散功率 - - 200 mW

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

长度 - 1.3 mm 1.2 mm

宽度 - 0.9 mm 0.8 mm

高度 - 0.7 mm 0.6 mm

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523-2

重量 - 0.004535924 kg -

工作温度 - -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99