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TLV2442AQDG4、TLV2442IDR、TLV2442AQPW对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2442AQDG4 TLV2442IDR TLV2442AQPW

描述 高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 0.725 W 525 mW

共模抑制比 - 70 dB 70dB ~ 75dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.75 MHz 1.75 MHz 1.75 MHz

转换速率 1.40 V/μs 1.40 V/μs 1.40 V/μs

增益频宽积 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) - 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

增益带宽 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

电源电压(Max) - - 10 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

输出电流 - ≤50 mA -

耗散功率(Max) - 725 mW -

共模抑制比(Min) - 70 dB -

长度 - - 3 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 1.15 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free