IPD78CN10NGATMA1、IPD90R1K2C3BTMA1、IPD90R1K2C3对比区别
型号 IPD78CN10NGATMA1 IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3
描述 Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装INFINEON IPD90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 31 W 83 W 83 W
通道数 1 - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.059 Ω 0.94 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 83 W 83 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 - - 900 V
连续漏极电流(Ids) 13A 5.10 A 5.10 A
上升时间 4 ns 20 ns 20 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
输入电容(Ciss) 716pF @50V(Vds) 710pF @100V(Vds) 710pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 31 W - 83 W
下降时间 3 ns 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 31W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
输入电容 538 pF - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99