SST39SF040-55-4I-NHE、SST39SF040-55-4I-NHE-T、SST39LF040-55-4C-NHE对比区别

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型号 SST39SF040-55-4I-NHE SST39SF040-55-4I-NHE-T SST39LF040-55-4C-NHE

描述 SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，MicrochipFlash Parallel 5V 4Mbit 512K x 8Bit 55ns 32Pin PLCC T/RSST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC-32

位数 8 8 8

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 3.6 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 3 V

工作电压 4.5V ~ 5.5V - -

供电电流 25 mA - 20 mA

针脚数 32 - 32

封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC-32

长度 11.43 mm - 11.43 mm

宽度 13.97 mm - 13.97 mm

高度 2.79 mm - 2.79 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.1.a EAR99 3A991.b.1.a