SST39SF040-55-4I-NHE
数据手册.pdfSST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器
的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。
### 特点
4.5-5.5V 读写操作
寿命 - 100,000 次循环（典型）
低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值）
扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区
读取访问时间 - 55 至 70 ns
扇区擦除时间 18 ms
芯片擦除时间：70 ms（典型）
字节编程时间 - 14 μs（典型）
芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值）
锁存地址和数据
自动写入计时 - 内部 VPP 生成
写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询
TTL 输入/输出兼容性
JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件
### 闪存，Microchip
