DTC123EET1G、DTC123JM3T5G、DTC123JMT2L对比区别

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型号 DTC123EET1G DTC123JM3T5G DTC123JMT2L

描述 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network数字晶体管（ BRT ） NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkROHM  DTC123JMT2L  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SC-105AA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SOT-723-3 VMT-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W 0.6 W 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 80 80

额定功率(Max) 200 mW 260 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 600 mW 150 mW

增益带宽 - - 250 MHz

长度 - 1.2 mm 1.3 mm

宽度 - 0.8 mm 0.9 mm

高度 - 0.5 mm 0.45 mm

封装 SC-75-3 SOT-723-3 VMT-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -