MT47H256M8HG-37E:A、MT47H256M8EB-3:C、W972GG8JB-25对比区别

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型号 MT47H256M8HG-37E:A MT47H256M8EB-3:C W972GG8JB-25

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

引脚数 60 60 60

封装 FBGA FBGA TFBGA-60

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

供电电流 - - 135 mA

位数 8 8 8

存取时间(Max) 0.5 ns 0.45 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.8 V - 1.7V ~ 1.9V

工作电压 1.80 V 1.80 V -

封装 FBGA FBGA TFBGA-60

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99