DTC114EKAT146、DTC114EM3T5G、PDTC114ET,215对比区别

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型号 DTC114EKAT146 DTC114EM3T5G PDTC114ET,215

描述 ROHM  DTC114EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NXP  PDTC114ET,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-723-3 SOT-23-3

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 0.6 W 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 260 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 30 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 600 mW 250 mW

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 50.0 mA 100 mA -

额定功率 0.2 W - -

增益带宽 250 MHz - -

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 35 -

长度 2.9 mm 1.25 mm 3 mm

宽度 1.6 mm 0.8 mm 1.4 mm

高度 1.2 mm 0.55 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-723-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR