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IMH23T110、IMH2AT110、IMH3AT110对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IMH23T110 IMH2AT110 IMH3AT110

描述 ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital TransistorsNPN/NPN 50V 0.1A双偏置电阻晶体管

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-457 SC-74-6 SC-74-6

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 30.0 mA 100 mA

额定功率 0.3 W 0.3 W 0.3 W

极性 NPN N-Channel, NPN N-Channel, NPN

耗散功率 0.3 W 300 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 600mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 820 @50mA, 5V 68 @5mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 68 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 150 MHz 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) 820 - -

封装 SOT-457 SC-74-6 SC-74-6

长度 3 mm - -

宽度 1.8 mm - -

高度 1.2 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -