IMH3AT110
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMH3AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.3 W
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IMH3AT110引脚图与封装图 
IMH3AT110引脚图
IMH3AT110封装图
IMH3AT110封装焊盘图
替代型号IMH3AT110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMH3AT110 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 N-Channel 50V 100mA 0.3W | 当前型号 | NPN/NPN 50V 0.1A双偏置电阻晶体管 | 当前型号 |
| 型号： IMH2AT110 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 N-Channel 50V 30mA 300mW | 类似代替 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors | IMH3AT110和IMH2AT110的区别 |
| 型号： IMH23T110 品牌： 罗姆半导体 封装： SMT NPN 0.3W | 功能相似 | ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | IMH3AT110和IMH23T110的区别 |
| 型号： IMH21T110 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-74 NPN | 功能相似 | ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | IMH3AT110和IMH21T110的区别 |