FQU2N80、FQU2N80TU、FQI2N80TU对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQU2N80 FQU2N80TU FQI2N80TU

描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETN沟道 800V 1.8AN沟道 800V 2.4A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 IPAK TO-251-3 TO-262-3

额定电压(DC) - 800 V 800 V

额定电流 - 1.80 A 2.40 A

漏源极电阻 - 6.30 Ω 4.90 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 3.13W (Ta), 85W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.8A 1.80 A 2.40 A

上升时间 - 30 ns -

输入电容(Ciss) - 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 3.13 W

下降时间 - 28 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc)

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 6.3 mm -

封装 IPAK TO-251-3 TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -