FQU2N80TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU2N80TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 1.80 A
漏源极电阻 6.30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQU2N80TU引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQU2N80TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU2N80TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251-3 N-Channel 800V 1.8A 6.3ohms | 当前型号 | N沟道 800V 1.8A | 当前型号 |
| 型号： FQI2N80TU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-262-3 N-Channel 800V 2.4A 4.9Ω | 功能相似 | N沟道 800V 2.4A | FQU2N80TU和FQI2N80TU的区别 |
| 型号： FQU2N80 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | FQU2N80TU和FQU2N80的区别 |