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K4W1G1646G-BC11、MT41J64M16JT-15E:G、MT41J64M16LA-187E:B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4W1G1646G-BC11 MT41J64M16JT-15E:G MT41J64M16LA-187E:B

描述 1Gbit gDDR3 SDRAM 1866MHz 96-FBGA - K4W1G1646G-BC11MT41J64M16JT-15E :G, DDR3 SDRAM Memory 1Gbit, 64M x 16Bit, 1333, 1.5ns, 1.425 1.575V, 11.5mm, 96Pin, FBGADRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 96 96

封装 FBGA FBGA-96 FBGA

工作电压 - 1.50 V -

供电电流 - 180 mA -

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 0.255 ns -

工作温度(Max) - 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.425V ~ 1.575V 1.5 V

高度 - 0.8 mm -

封装 FBGA FBGA-96 FBGA

工作温度 - 0℃ ~ 95℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free