K4W1G1646G-BC11
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Samsung
三星
电子元器件分类
K4W1G1646G-BC11中文资料参数规格
封装参数
封装 FBGA
外形尺寸
封装 FBGA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
K4W1G1646G-BC11引脚图与封装图
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在线购买K4W1G1646G-BC11
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| K4W1G1646G-BC11 | Samsung 三星 | 1Gbit gDDR3 SDRAM 1866MHz 96-FBGA - K4W1G1646G-BC11 | 搜索库存 |
替代型号K4W1G1646G-BC11
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： K4W1G1646G-BC11 品牌： Samsung 三星 封装： | 当前型号 | 1Gbit gDDR3 SDRAM 1866MHz 96-FBGA - K4W1G1646G-BC11 | 当前型号 |
| 型号： MT41J64M16JT-125:G 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96Pin FBGA Tray | K4W1G1646G-BC11和MT41J64M16JT-125:G的区别 |
| 型号： MT41J64M16JT-15E:G 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | MT41J64M16JT-15E :G, DDR3 SDRAM Memory 1Gbit, 64M x 16Bit, 1333, 1.5ns, 1.425 1.575V, 11.5mm, 96Pin, FBGA | K4W1G1646G-BC11和MT41J64M16JT-15E:G的区别 |
| 型号： MT41J64M16JT-15EIT:G 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.5V 96Pin FBGA | K4W1G1646G-BC11和MT41J64M16JT-15EIT:G的区别 |