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IRF7205TR、STS5PF30L、F5H3P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7205TR STS5PF30L F5H3P

描述 Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8Pin SOIC T/RP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Shindengen (新电元)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC SOIC-8 -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -4.60 A -5.00 A -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

极性 - P-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

阈值电压 - 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.60 A 5.00 A -

上升时间 21.0 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 35 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

产品系列 IRF7205 - -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

封装 SOIC SOIC-8 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -