MRF581、MRF581G对比区别

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型号 MRF581 MRF581G

描述 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORSTrans RF BJT NPN 18V 0.2A 4Pin Macro-X

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 Macro-X Micro-X

引脚数 4 -

击穿电压(集电极-发射极) 18 V 18 V

增益 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数(hFE) 50 @50mA, 5V 50 @50mA, 5V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

耗散功率 1250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1250 mW -

封装 Macro-X Micro-X

高度 2.54 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free