MRF581
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MRF581中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1250 mW
击穿电压集电极-发射极 18 V
增益 13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 Macro-X
外形尺寸
高度 2.54 mm
封装 Macro-X
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF581引脚图与封装图
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在线购买MRF581
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF581 | Microsemi 美高森美 | 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号MRF581
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF581 品牌： Microsemi 美高森美 封装： Micro-X 1250mW | 当前型号 | 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | 当前型号 |
| 型号： MRF581G 品牌： 美高森美 封装： Micro-X | 类似代替 | Trans RF BJT NPN 18V 0.2A 4Pin Macro-X | MRF581和MRF581G的区别 |