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IRF7853PBF、SI4484EY-T1-GE3、IRF7853TRPBF对比区别

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型号 IRF7853PBF SI4484EY-T1-GE3 IRF7853TRPBF

描述 N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。Trans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8Pin SOIC N T/RINFINEON  IRF7853TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3A, 100V SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

漏源极电阻 0.018 Ω 0.028 Ω 0.018 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 3.8 W 2.5 W

阈值电压 4.9 V 2 V 4.9 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

额定功率 2.5 W - 2.5 W

针脚数 8 - 8

输入电容 - - 1640 pF

连续漏极电流(Ids) 8.3A - 8.3A

上升时间 6.6 ns - 6.6 ns

输入电容(Ciss) 1640pF @25V(Vds) - 1640pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 6 ns - 6 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW - 2.5W (Ta)

正向电压(Max) 1.3 V - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.5 mm - 1.75 mm

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

ECCN代码 - - EAR99