SI4484EY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4484EY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4484EY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4484EY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |
替代型号SI4484EY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4484EY-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8Pin SOIC N T/R | 当前型号 |
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