BF422、BF422G、BF422,116对比区别
描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR BF422G 双极性晶体管, NPN, 250V TO-92双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE RADIAL
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 830 mW 830 mW
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.05A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V
额定功率(Max) 830 mW 830 mW 830 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 830 mW 830 mW
额定电压(DC) 250 V 250 V -
额定电流 50.0 mA 50.0 mA -
直流电流增益(hFE) - 50 -
长度 - - 4.8 mm
宽度 - - 4.2 mm
高度 - - 5.2 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -