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KA358DTF、LM358D、LM358DR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KA358DTF LM358D LM358DR2G

描述 OP Amp Dual GP ±16V/32V 8Pin SOIC N T/RTEXAS INSTRUMENTS  LM358D  芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  LM358DR2G.  运算放大器

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 60 mA 30mA @15V 40 mA

供电电流 800 µA 1 mA 1.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 65 dB 65 dB 70 dB

带宽 - 700 kHz 1 MHz

转换速率 - 300 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 - 700 kHz 1 MHz

输入补偿电压 2.9 mV 3 mV 2 mV

输入偏置电流 45 nA 20 nA 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 0.7 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - - 3V ~ 32V

电源电压(Max) 32 V - 32 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

输入电压 - - 0V ~ 28.3V

输入补偿漂移 - 7.00 µV/K -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - NLR -