NSBC114YDXV6T1G、PEMD13,115、NSBC114YDXV6T1对比区别

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型号 NSBC114YDXV6T1G PEMD13,115 NSBC114YDXV6T1

描述 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor TransistorsSOT-666 NPN+PNP 50V 100mA双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6

引脚数 6 6 -

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN, PNP NPN

耗散功率 0.5 W 0.3 W 357 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - 80

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW -

长度 1.6 mm - 1.6 mm

宽度 1.2 mm - 1.2 mm

高度 0.55 mm 0.6 mm 0.55 mm

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -