PEMD13,115

NXP 恩智浦分立器件

SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

Newark:
# NXP PEMD13,115 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 Ratio, SOT-666

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

PEMD13,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN, PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PEMD13,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PEMD13,115	NXP 恩智浦	SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA	搜索库存

替代型号PEMD13,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PEMD13,115 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-563 NPN 300mW	当前型号	SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA	当前型号
型号： NSBC114YDXV6T1G 品牌：安森美封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW	功能相似	双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors	PEMD13,115和NSBC114YDXV6T1G的区别
型号： NSBC114TDXV6T1G 品牌：安森美封装： SOT-563 N-Channel 50V 100mA 500mW	功能相似	晶体管双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm	PEMD13,115和NSBC114TDXV6T1G的区别
型号： NSBC143ZPDXV6T1G 品牌：安森美封装： SOT-563 NPN PNP 50V 100mA 500mW	功能相似	双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors	PEMD13,115和NSBC143ZPDXV6T1G的区别