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TLE2061ACD、TLE2061AID、OP1177ARZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2061ACD TLE2061AID OP1177ARZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061ACD  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚ANALOG DEVICES  OP1177ARZ  运算放大器, 单路, 1.3 MHz, 1个放大器, 0.7 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0 V 18.0 V 15.0 V

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

供电电流 290 µA 290 µA 400 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

共模抑制比 65 dB 65 dB 120 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K -

带宽 1.8 MHz 1.8 MHz 1.3 MHz

转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 700 mV/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 15 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 500 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2 MHz 2 MHz 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 65dB ~ 70dB 65 dB 120 dB

输入阻抗 - - 1.00 GΩ

电源电压(Max) 36V ~ 37V - 36 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

军工级 - - No