IRF3710SPBF、IRF3710STRLPBF、IRF3710STRRPBF对比区别

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型号 IRF3710SPBF IRF3710STRLPBF IRF3710STRRPBF

描述 INFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VN沟道,100V,57A,23mΩ@10VN 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 200 W 200 W 200 W

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 3.8 W

输入电容 - 3130 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 57A 57A 57A

上升时间 58 ns 58 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 200 W -

下降时间 47 ns 47 ns 47 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.023 Ω - 23 mΩ

漏源击穿电压 - - 100 V

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

长度 10.67 mm 9.65 mm 6.5 mm

宽度 9.65 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -