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IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Low RDSon
.
Industry-leading quality
.
Dynamic dv/dt Rating
.
Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK


欧时:
Infineon MOSFET IRF3710STRLPBF


立创商城:
N沟道 100V 57A


贸泽:
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**MOSFET 100V 57A **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK


IRF3710STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

输入电容 3130 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 57A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 3130pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 47 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF3710STRLPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF3710STRLPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF3710STRLPBF Infineon 英飞凌 N沟道,100V,57A,23mΩ@10V 搜索库存
替代型号IRF3710STRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF3710STRLPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 57A

当前型号

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

当前型号

型号: IRF3710SPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 57A

完全替代

INFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V

IRF3710STRLPBF和IRF3710SPBF的区别

型号: IRF3710STRRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 57A

类似代替

N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

IRF3710STRLPBF和IRF3710STRRPBF的区别

型号: IRF3710S

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 100V 57A

功能相似

D2PAK N-CH 100V 57A

IRF3710STRLPBF和IRF3710S的区别