STW35N65M5、TK31A60W、APT38N60BC6对比区别
型号 STW35N65M5 TK31A60W APT38N60BC6
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220SIS N-CH 600V 30.8AÇ超级结MOSFET C Super Junction MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-247-3 SC-67 TO-247-3
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
极性 - N-CH -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 30.8A -
耗散功率 160 W - 278 W
上升时间 12 ns - 29 ns
输入电容(Ciss) 3750pF @100V(Vds) - 2826pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - 278 W
下降时间 16 ns - 69 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) - 278W (Tc)
封装 TO-247-3 SC-67 TO-247-3
长度 15.75 mm - -
宽度 5.15 mm - -
高度 20.15 mm - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -