TK31A60W
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TK31A60W中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 30.8A
封装参数
封装 SC-67
外形尺寸
封装 SC-67
其他
产品生命周期 Active
制造应用 Switching Voltage Regulators
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TK31A60W引脚图与封装图 
TK31A60W引脚图
TK31A60W封装图
在线购买TK31A60W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK31A60W | Toshiba 东芝 | TO-220SIS N-CH 600V 30.8A | 搜索库存 |
替代型号TK31A60W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TK31A60W 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | TO-220SIS N-CH 600V 30.8A | 当前型号 |
| 型号： STW38N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-CH 650V 30A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | TK31A60W和STW38N65M5的区别 |
| 型号： STP38N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | TK31A60W和STP38N65M5的区别 |
| 型号： STW35N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | TK31A60W和STW35N65M5的区别 |