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1N5234B-TP、TC1N5234B、1N5234B-T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5234B-TP TC1N5234B 1N5234B-T

描述 DO-35 6.2V 0.5W(1/2W)DO-35 6.2V 0.5W(1/2W)1N5234B 系列 500 mW 6.2 V 200 mA 通孔 外延 齐纳二极管 - DO-35

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) TAK Cheong Diodes (美台)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35-2

额定电压(DC) 6.20 V - 6.20 V

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率 500 mW - 500 mW

正向电压 1.1V @200mA - 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 20 mA - 20 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

正向电压(Max) 1.1 V - 1.1V @200mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃

长度 4.2 mm - 4 mm

宽度 2 mm - 2 mm

高度 2 mm - 2 mm

封装 DO-35 DO-35 DO-35-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free